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Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
IXFB44N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
44A
220 m Ω
300 ns
Fast Intrinsic Diode
Symbol
V DSS
V DGR
V GSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Maximum Ratings
1000
1000
± 30
V
V
V
PLUS264 TM (IXFB)
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
44
V
A
G
D
S
(TAB)
I DM
I AR
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
110
22
2
15
1250
A
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
T L
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
300
° C
T SOLD
F C
Weight
Plastic body for 10s
Mounting torque
260
30..120/6.7..27
10
° C
N/lb.
g
Advantages
Plus 264 TM package for clip or spring
mounting
Space savings
High power density
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
BV DSS
V GS(th)
V GS = 0V, I D = 3mA
V DS = V GS , I D = 1mA
1000
3.5
6.5
V
V
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC motor controls
I GSS
V GS = ± 30V, V DS = 0V
± 200 nA
Robotics and servo controls
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 125 ° C
50 μ A
3 mA
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25, Note 1
220 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99867A(04/08)
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相关代理商/技术参数
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IXFB50N80Q2 功能描述:MOSFET 50 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB52N90P 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB60N80P 功能描述:MOSFET 60 Amps 800V 0.14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB62N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB70N60Q2 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IXFB80N50Q2 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube